場效應晶體管（FET）是利用電場效應控制電流的單極半導體器件。它具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、製造工藝簡單等特點。它被應用於大gshiguan.com/tags-40zz-0.html" target="_blank" >規模和超大規模集成電路中。
場效應管工作原理用一句話説，就是漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地説，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。
在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味着過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。
