不是。砷化鎵是一種重要的半導體材料。
屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。
屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵於1964年進入實用階段。砷化鎵可以製成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來製作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由於其電子遷移率比硅大5～6倍，故在製作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。
用砷化鎵製成的半導體器件具有高頻、高温、低温性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點。此外，還可以用於製作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優點的材料，但用它製作的晶體三極管的放大倍數小，導熱性差，不適宜製作大功率器件。
雖然砷化鎵具有優越的性能，但由於它在高温下分解，故要生產理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。GaAs的毒性至今仍沒有被很完整的研究。因為它含有As，經研究指出，As是有毒的，As也是一種致癌物質。
但，因為GaAs的晶體很穩定，所以如果身體吸收了少量的GaAs，其實是可以忽略的（指“短時間”，長時間仍有累積成生物毒性，得不定期體檢）。當要做晶圓拋光工藝（磨GaAs晶圓使表面微粒變小）時，表面的區域會和水起反應，釋放或分解出少許的As。砷化鎵按照材料特性可分為導電型砷化鎵和半絕緣砷化鎵。
導電型砷化鎵應用到光電子領域，單晶生長方法有HB、VB、VGF法，單晶尺寸有Φ2”、Φ3”、Φ4”和Φ6”，以Φ4”為主，主要用於製作LED。半絕緣砷化鎵應用到微電子領域，單晶生長方法有VGF、VB、LEC法，單晶尺寸有Φ4”和Φ6”，主要用於製作射頻(RF)功率器件。在微電子領域，利用砷化鎵的電子遷移率高、禁帶寬度大、直接帶隙、消耗功率低等特性，製作的微波大功率器件、低噪聲器件、微波毫米波單片集成電路、超高速數字集成電路等以移動通信、光纖通信、衞星通信等代表的高技術通信領域以及廣播電視、全球定位、導航、超高速計算機、信息安全、雷達、軍工通信、軍工電子等領域都有廣泛的應用。在光電子領域，利用砷化鎵的直接躍遷能帶結構具備的高電光轉化效率特性，製作的發光二極管(LED)、激光器(LD)、光探測器等各類光電器件在以背光顯示、半導體照明、汽車、智能手機、可穿戴和安防設備等領域都有廣泛的應用。
砷化鎵材料的主要用途。
砷化鎵是金屬材料嗎
砷化鎵是一種半導體材料，不是金屬材料。砷化鎵是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。
它在600℃以下能在空氣中穩定存在，並且不被非氧化性的酸侵蝕。
砷化鎵 砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。 砷化鎵於1964年進入實用階段。
砷化鎵可以製成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來製作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由於其電子遷移率比硅大5～6倍，故在製作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵製成的半導體器件具有高頻、高温、低温性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點。
此外，還可以用於製作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優點的材料，但用它製作的晶體三極管的放大倍數小，導熱性差，不適宜製作大功率器件。雖然砷化鎵具有優越的性能，但由於它在高温下分解，故要生產理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。
砷化鎵是什麼材料？
砷化鎵是重要的化合物半導體材料。外觀呈亮灰色，具金屬光澤、性脆而硬。
常温下比較穩定。
加熱到873K時，外表開始生成氧化物形成氧化膜包腹。常温下，砷化鎵不與鹽酸、硫酸、氫氟酸等反應，但能與濃硝酸反應，也能與熱的鹽酸和硫酸作用。砷化鎵天然存量稀少，通常採用鎵和砷直接化合的方法，其中水平區域熔鍊法是普遍採用的方法。通過區域提純便可獲得單晶。
砷化鎵的優點 電子物理特性砷化鎵GaAs擁有一些比硅Si還要好的電子特性，如高的飽和電子速率及高的電子遷移率，使得GaAs可以用在高於250 GHz的場合。GaAs的的另一個優點它是直接能隙的材料，所以可以用來發光。而Si是間接能隙的材料，只能發射非常微弱的光。
砷化鎵比硅更不會受到自然輻射的干擾，不易產生錯誤信號。
GaAs是金屬元素嗎
GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物，黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩定存在，並且不為非氧化性的酸侵蝕。
砷化鎵可作半導體材料，其電子遷移率高、介電常數小，能引入深能級雜質、電子有效質量小，能帶結構特殊，可作外延片。
氮化鎵是金屬材料嗎？
氮化鎵（GAN)是什麼？氮化鎵（GAN）是第三代半導體材料的典型代表，在T=300K時為，是半導體照明中發光二極管的核心組成部份。氮化鎵是一種人造材料，自然形成氮化鎵的條件極為苛刻，需要2000多度的高温和近萬個大氣壓的條件才能用金屬鎵和氮氣合成為氮化鎵 ，在自然界是不可能實現的。
大家都知道，第一代半導體材料是硅，主要解決數據運算、存儲的問題；第二代半導體是以砷化鎵為代表，它被應用到於光纖通訊，主要解決數據傳輸的問題；第三代半導體則就是以氮化鎵為代表，它在電和光的轉化方面性能突出，在微波信號傳 輸方面的效率更高，所以可以被廣泛應用到照明、顯示、通訊等各大領域。
1998年，美國科學家研製出了首個氮化鎵晶體管。氮化鎵（GAN)的性能特點高性能：主要包括高輸出功率、高功率密度、高工作帶寬、高效率、體積小、重量輕等。目前第一代和第二代半導體材料在輸出功率方面已經達到了極限，而GaN半導體由於在熱穩定性能方面的優勢，很容易就實現高工作脈寬和高工作比，將天線單 元級的發射功率提高10倍。高可靠性：功率器件的壽命與其温度密切相關，温結越高，壽命越低。
GaN材料具有高温結和高熱傳導率等特性，極大的提高了器件在不同温度下的適應性和可靠性。GaN器件可以用在650°C以上的軍用裝備中。低成本：GaN半導體的應用，能夠有效改善發射天線的設計，減少發射組件的數目和放大器的級數等，有效降低成本。
目前GaN已經開始取代GaAs作為新型雷達和干擾機的T/R（收/發）模塊電子器件材料。美軍下一代的AMDR（固態有源相控陣雷達） 便採用了GaN半導體。氮化鎵禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，使得它成為迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系，並可以成為製備寬波譜、高功率、高效率的微電 子、電力電子、光電子等器件的關鍵基礎材料。
GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV) 及藍寶石等材料作襯底，散熱性能好，有利於器件在大功率條件下工作。隨着對Ⅲ族氮化物材料和器件研究與開發工作的不斷深入，GaInN超高度藍光、綠光LED技術已經實現商品化，現在世界各大公司和研究機構都紛紛 投入巨資加入到開發藍光LED的競爭行列。氮化鎵的應用氮化鎵作為半導體發光二極管應用於LED照明也已經在中國發展得風起雲湧。
目前市場上大規模應用於LED照明的氮化鎵芯片距離氮化鎵真正的“神奇能量”還相距甚遠。GaN半導體可以使得汽車、消費電子、電網、高鐵等產業系統所使用的各類電機、 逆變器、AC/DC轉換器等變得更加節能、高效。GaN用在大功率器件中可以降低自身功耗的同時提高系統其它部件的能效，節能20%-90%。氮化鎵的未來發展GaN寬禁帶電力電子器件代表着電力電子器件領域發展方向，材料和工藝都存在許多問題有待解決，即使這些問題都得到解決，它們的價格肯定還是比硅基貴。
預計到2019年，硅基GaN的價格可能下降到可與硅材料相比擬的水平。由於它們的優異特 性可能主要用於中高端應用，與硅全控器件不可能全部取代硅半控器件一樣，SiC和GaN寬禁帶電力電子器件在將來也不太可能全面取代硅功率MOSFET、IGBT和GTO(包括IGCT)。SiC電力電子器件將主要用於1200V以上的高壓工業應用領域；GaN電力電 子器件將主要用於900V以下的消費電子、計算機/服務器電源應用領域。GaN作為第三代半導體材料，其性質決定了將更適合4G乃至未來5G等技術的應用。
從現在的市場狀況來看，GaAs仍然是手機終端PA和LNA等的主流，而LDMOS則處於基站RF的霸主地位。但是，伴隨着Si材料和GaAs材料在性能上逐步達到極限，我們預計 GaN半導體將會越來越多的應用在無線通信領域中。
鎵是什麼？是小金屬嗎？
鎵是銀白色金屬。密度5.904克/釐米3。
熔點29.78℃。
沸點2403℃。化合價2和3。第一電離能5.999電子伏特。凝固點很低。
由於穩定固體的複雜結構，純液體有顯著的過冷的趨勢，可以放在冰浴內幾天不結晶。質軟、性脆，在空氣中表現穩定。加熱可溶於酸和鹼；與沸水反應劇烈，但在室温時僅與水略有反應。
高温時能與大多數金屬作用。由液態轉化為固態時，膨脹率為3.1%，宜存放於塑料容器中。漢字鎵是指一種稀有藍白色三價金屬元素。
砷化鋁和砷化鎵誰的熔點高
砷化鋁的高。砷化鋁（AlAs）是鋁元素和砷元素形成的二元化合物，常温常壓下為橙色固體。
性狀：砷化鋁的晶系為等軸晶系。
熔點是1740°C。密度是3.76g/cm3。砷化鎵的熔點是1238°C。砷化鎵是重要的化合物半導體材料，外觀呈亮灰色，具金屬光澤、性脆而硬。
常温下比較穩定。砷化鋁（Aluminiumarsenide）是一種半導體材料，它的晶格常數跟砷化鎵類似。砷化鎵加熱到873K時，外表開始生成氧化物形成氧化膜包腹。
常温下，砷化鎵不與鹽酸、硫酸、氫氟酸等反應，但能與濃硝酸反應，也能與熱的鹽酸和硫酸作用。
